產(chǎn)品分類
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德國(guó)ICX Radiation HPGe高純鍺實(shí)驗(yàn)室能譜分析系統(tǒng)
HPGe
簡(jiǎn)介
高純鍺HPGe 實(shí)驗(yàn)室能譜分析系統(tǒng)包括HPGe檢測(cè)器、杜瓦瓶、鉛室、刻度源、個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)字化多道分析器和系統(tǒng)軟件
應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室、院校、工業(yè)、醫(yī)學(xué)、核電站及相關(guān)研究部門的多種不同用途檢測(cè)分析
特點(diǎn)
· 離子注入HPGe同軸檢測(cè)器(P型)
· 檢測(cè)效率30 %
· 能量范圍從40 keV到10 MeV
· 末端尺寸為78 mm
· 輸入窗為0.7 mm,鋁制
· 高計(jì)數(shù)率工作,有溫度LED指標(biāo)器
· 峰形:FWTM/FWHM: 1.90 – FWFM/FWHM: 2.65
· FWHM分辨率:≤ 1.90 keV at 1.33 MeV,≤ 850 eV at 122 keV
· TTL信號(hào)切斷高壓:檢測(cè)器升溫:0 V;檢測(cè)器冷卻:+ 5 V
· 在1.33 MeV處峰康比為58:1
· 前置放大器上有3個(gè)發(fā)光二極管,綠色表示探測(cè)器 OK,紅色1表示高計(jì)數(shù)率,紅色2表示探測(cè)器升溫
· 一個(gè)電阻反饋前置放大器,型號(hào)RFB 51C,帶有高壓自動(dòng)關(guān)閉線路
· 注:可根據(jù)用戶要求提供不同能量范圍及檢測(cè)效率、分辨率的型號(hào)探頭。
結(jié)構(gòu)配置
·對(duì)于1個(gè)探測(cè)器,1條完整的信號(hào)鏈需要1個(gè)dMCA母板和1 個(gè)sADSP子板
·對(duì)于64個(gè)探測(cè)器,64條信號(hào)鏈需要16個(gè)dMCA母板和64個(gè) sADSP子板
·其中dMCA 8 母板可以帶8 個(gè)外置ADC 或4個(gè) sADSP 子板,dMCA 4母板可以帶4 個(gè)外置ADC 或2個(gè) sADSP 子板
·轉(zhuǎn)換增益、放大器增益、波形參數(shù)和脈沖抑制電平通過軟件調(diào)整各輸入通道。夾層板總高度 5mm
·多個(gè) dMCA 板工作對(duì)相鄰的插槽不會(huì)影響
·dMCA板用一個(gè)特殊的DSP 芯片進(jìn)行PC通訊,數(shù)據(jù)通過PCI和EISA線路傳輸
·芯片有兩個(gè)主要任務(wù),形成能譜數(shù)據(jù)圖并將其傳送到PC存儲(chǔ)器
·DSP磁芯處理單元管理PC的通訊和存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)增量
·數(shù)據(jù)通過6個(gè)獨(dú)立DSP的直接存儲(chǔ)器平行存取通道之一傳輸
能譜系統(tǒng)
· 網(wǎng)絡(luò)功能
· 多輸入
· 輸入信號(hào)示波器顯示模式
· 反卷積窗
· 前置放大器電源(可選項(xiàng))
· 高壓電源(可選項(xiàng))
· 多參數(shù)(i.p.)(可選項(xiàng))
· 脈沖波形分析(i.p.)(可選項(xiàng))
· 列表模式(i.p.)(可選項(xiàng))
· 標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)器
· 分離檢測(cè)器
· X-射線檢測(cè)器
· HPGe、SiLi、CZT、閃爍體檢測(cè)器
物理特性
· 單/多輸入MCA,單/多參數(shù)MCA
· 標(biāo)準(zhǔn)PCI接口,EISA接口(可選項(xiàng))
· dMCA4,160×107mm,半長(zhǎng)卡
· dMCA8,305㎜×107㎜,全長(zhǎng)卡
· LEMO連接器
· 56301 DSP
· dMCA4電源,600mA max@ 5V
· dMCA8電源,800mA max@ 5V
· 2個(gè)(或4 個(gè))子板或exADC夾層連接器
物理特性
· 正/負(fù)極性
· 粗增益10-200,軟件可調(diào)
· 細(xì)增益0.5000-2.000,軟件可調(diào)
· 微分級(jí)10μs
· 前置放大器衰減從10μs到無限,軟件可調(diào)
· 采樣率:20MHz
· 16位采樣ADC
· DSP’s為2
· 峰特性480Mops
· 波形為梯形
· zui小微分0.8μs,軟件可調(diào)
· zui大微分20μs,軟件可調(diào)
· zui小平頂0.8μs,軟件可調(diào)
· zui大平頂20μs,軟件可調(diào)
· 輸入阻抗1kΩ,軟件可調(diào)
· 輸入電壓范圍±10V
· 增益漂移小于20ppm/℃
· 零漂移小于3ppm/℃
· 積分非線性在譜圖的99.9%以內(nèi),小于0.025%
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